CIF RIE反應離子刻蝕機

    CIF推出RIE反應離子刻蝕機,采用RIE反應離子誘導激發方式,實現對材料表麵各向異性的微結構刻蝕。特別適合於大學,科研院所、微電子、半導體企業實驗室進行介質刻蝕、矽刻蝕、金屬刻蝕等方麵研究。使用成本低,性價比高,易維護,處理快速高效。適用於所有的基材及複雜的幾何構形進行RIE反應離子刻蝕。
  1. 詳細信息

CIF推出RIE反應離子刻蝕機,采用RIE反應離子誘導激發方式,實現對材料表麵各向異性的微結構刻蝕。特別適合於大學,科研院所、微電子、半導體企業實驗室進行介質刻蝕、矽刻蝕、金屬刻蝕等方麵研究。使用成本低,性價比高,易維護,處理快速高效。適用於所有的基材及複雜的幾何構形進行RIE反應離子刻蝕。具體包括:

介電材料(SiO2、SiNx等)

矽基材料(Si,a-Si,poly Si)

III-V材料(GaAs、InP、GaN等)

濺射金屬(Au、Pt、Ti、Ta、W等)

類金剛石(DLC)

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產品特點:

PLC工控機控製整個清洗過程,全自動進行。

7寸彩色觸摸屏互動操作界麵,圖形化操作界麵顯示,自動監測工藝參數狀態,0~99配方程序,可存儲、輸出、追溯工藝數據,機器運行、停止提示。

手動、自動兩種工作模式。

全真空管路係統采用316不鏽鋼材質,耐腐蝕無汙染。

采用防腐數字流量計控製標配雙路氣體輸送係統,可選多氣路氣體輸送係統,氣體分配均勻。可輸入氧氣、氬氣、氮氣、四氟化碳、氫氣或混合氣等氣體。

具備HEPA高效過濾氣體返填吹掃功能。

符合人體功能學的60度傾角操作界麵設計,操作方便,界麵友好。

316不鏽鋼、航空鋁真空倉選擇。

采用頂置真空倉,上開蓋設計下壓式鉸鏈開關方式上置式360度水平取放樣品設計,符合人體功能學,操作更方便。

有效處理麵積大,可處理最大直徑200mm晶元矽片。

安全保護,倉門打開,自動關閉電源。

技術參數

型號

RIE200

RIE200plus

艙體尺寸

H38xΦ260mm

H38xΦ260mm

艙體容積

2L

2L

射頻電源

40KHz

13.56MHz

電極

不鏽鋼氣浴RIE電極,Φ200mm

不鏽鋼氣浴RIE電極,Φ200mm

匹配器

自動匹配

自動匹配

刻蝕方式

RIE

RIE

射頻功率

10-300W可調(可選10-1000W)

10-300W可調(可選10-600W)

氣體控製

質量流量計(MFC)(標配雙路,可選多路)流量範圍0-500SCCM(可調)

工藝氣體

ArNO₂、HCF4CF4+ H2CHF3或其他混合氣體等(可選)

最大處理尺寸

Φ200mm

時間設定

1-99分59秒

真空泵

抽速約8m3/h

氣體穩定時間

1分鍾

極限真空

1Pa

AC220V 50-60Hz,所有配線符合《低壓配電設計規範 GB50054-95》、《低壓配電裝置及線路設計規範》等國標標準相關規定。

 

當等離子蝕刻應用涉及使用氧氣作為工藝氣體時,出於安全原因,強烈建議使用Edwards愛德華真空泵 RV3雙級旋片泵或類似的合成油旋轉機械泵。因為Edwards愛德華RV3雙級旋片泵泵科學應用方麵已成為行業標準。當然,在需要避免使用油基旋轉機械泵的地方,也可選擇幹式真空泵。


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